Чем заменить п210б в стабилизаторе тока

СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ ДВУПОЛЯРНОГО БЛОКА ПИТАНИЯ С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕГРУЗОК

Для многих радиолюбительских конструкций неотъем­лемой частью является стабилизированный источник пита­ния. Как известно, плавкие предохранители мало пригодны . для защиты элементов питаемого устройства и его блока питания от повреждений. Поэтому при перегрузке чаще всего происходит пробой регулирующего транзистора ста­билизатора, прежде чем перегорит предохранитель. При этом к нагрузке приложится полное входное напряжение, которое может оказаться небезопасным для питаемого радиоустройства. Особенно это опасно при двуполярном питании, когда поврежден один из стабилизаторов и на­пряжение отрицательного и положительного плеч стаби­лизатора окажутся значительно отличными друг от друга. Надежную защиту обеспечивает только электронное устройство.

Схема стабилизатора двуполярного блока питания с та­ким защитным устройством показана на рис. 1. Он пред­назначен для совместной работы с усилителем НЧ, нор­мальная работа которого обеспечивается устройством, пред­охраняющим его элементы и акустическую систему от повреждений. Используемую в нем систему защиты (обве­дена штрихпунктирными линиями) можно ввести в анало­гичные блоки питания, в частности лабораторные, где она особенно необходима, так как в процессе макетирования и наладки устройств перегрузки бывают особенно часто.

Pис. 1. Принципиальная схема стабилизатора напряжения

Основой системы защиты является оптрон АОУ103В (V6), обладающий высоким быстродействием. Главное до­стоинство защиты заключается в том, что она срабатывает при перегрузках как в одном из плеч стабилизатора, так и в обоих плечах одновременно. При этом выходное напря­жение обоих плеч становится равным нулю. В двуполяр-ных блоках питания защиту вводят обычно раздельно в каждом плече, что, как правило, приводит к увеличению числа используемых деталей. К тому же возможен отказ в работе защиты одного плеча при сработавшем другом, что может привести к неприятным последствиям. В описы­ваемом защитном устройстве максимально используются все его элементы. Так, например, при перегрузке в отрица­тельном плече блока питания в работе защиты не участву­ют только транзистор V4 и резистор R6, а при перегрузке в положительном плече — транзистор VI и резистор R3.

Стабилизатор выполнен по широко известной компен­сационной схеме. В таких стабилизаторах в качестве регулирующих и управляющих элементов используются тран­зисторы, а в качестве источников опорного напряжения — стабилитроны. Наряду с высоким коэффициентом стабили­зации они обладают малым выходным сопротивлением по переменному току, что предотвращает обратную связь меж­ду каскадами через источник питания и повышает устой­чивость работы радиоустройств.

Принцип работы стабилизатора рассмотрим на примере его отрицательного плеча. Здесь регулирующий транзи­стор, выполненный для повышения коэффициента стабили­зации составным (V9…V11), включен последовательно с нагрузкой. Поэтому предельно допустимое напряжение между эмиттерами и коллекторами транзисторов должно быть больше, чем наибольшее выходное напряжение ста­билизатора, а предельно допустимый ток коллектора тран­зистора VII — больше максимального тока, потребляемого нагрузкой. Мощность, рассеиваемая этим транзистором, не должна превышать допустимую.

Режим работы составного транзистора определяется напряжением на базе транзистора V9 с помощью резисто­ра R7. Одновременно этот резистор является нагрузкой усилительного каскада на транзисторе V13. С увеличением его сопротивления повышается коэффициент стабилизации, но при этом уменьшается максимальный ток нагрузки. Транзистор V13, являющийся усилителем постоянного тока в цепи обратной связи, должен быть с возможно большим статическим коэффициентом передачи тока и возможно меньшим обратным током коллектора. Опорное напряже­ние формирует стабилитрон V12, включенный в цепь эмит­тера транзистора V13. Необходимый ток стабилизации устанавливают подбором резистора R11. Подстроечным ре­зистором R13, образующим с резисторами R12 и R14 дели­тель, устанавливают требуемое выходное напряжение. Кон­денсаторы С5 и С7 предотвращают возможное самовозбуж­дение и повышают устойчивость работы стабилизатора. Емкость конденсатора С5 должна быть тем меньше, чем больше емкость конденсатора Сб.

Сущность действия стабилизатора заключается в срав­нении стабилизируемого напряжения с образцовым. Часть стабилизируемого напряжения (напряжение обратной свя­зи) снимается с движка резистора R13, а образцовое (опор­ное) — со стабилитрона V12, оба напряжения приклады­ваются к эмиттеру транзистора V13. Эмиттерный переход этого транзистора оказывается под действием двух напря­жений — обратной связи (можно изменять) и стабилиза­ции стабилитрона (постоянно). При уменьшении тока нагрузки напряжение на выходе стабилизатора стремится увеличиваться. При этом увеличивается отрицательное на­пряжение на базе транзистора V13, что приводит к росту его коллекторного тока и уменьшению отрицательного на­пряжения на коллекторе, а следовательно, к уменьшению отрицательного напряжения на базе составного транзисто­ра V9V10V11. От этого сопротивление регулирующего тран­зистора возрастает, падение напряжения на нем увеличи­вается, а выходное напряжение уменьшается до прежнего значения и остается практически неизменным. С увеличе­нием же тока нагрузки напряжение на выходе, а значит, и напряжение на базе транзистора V13 будут уменьшаться, что приведет к уменьшению его коллекторного тока и, сле­довательно, к увеличению отрицательного напряжения на базе транзистора V9. При этом сопротивление транзистора VII и падение напряжения на нем уменьшатся, что при­ведет к увеличению напряжения на выходе стабилизатора до прежнего значения.

Работу системы защиты от перегрузок проследим на примере того же плеча стабилизатора — отрицательного. Между конденсаторами С1 и С2 фильтра выпрямителя и стабилизатором включено ключевое устройство, состоя­щее из транзистора VI и резистора R3, которое практи­чески не влияет на параметры самого стабилизатора. При больших токах в нагрузке падение напряжения на рези­сторе R3 открывает транзистор VI, и ток идет через него (диод V2 в«это время закрыт), через ограничитель напря­жения R4V5, светодиод оптрона V6, диод V3, образующий с диодом V2 дешифратор, и далее на общий провод. В это время динистор оптрона, освещенный светодиодом, замы­кает собой базы транзисторов V9 и V16 и таким образом закрывает оба плеча стабилизатора. А так как выходное напряжение становится равным нулю (ток в нагрузке тоже равен нулю), то транзистор VI закрывается и светодиод оптрона гаснет, динистор же поддерживается в открытом состоянии током, текущим через резисторы R7 и R8.

Диоды V7 и V8 включены в базовые цепи транзисторов V9 и V16 в обратном направлении и влияния на работу стабилизатора не оказывают. Если в момент срабатывания защиты напряжения в точках 1 и 4 не равны, то в зависи­мости от разности этих напряжений (по знаку) одно из плеч стабилизатора не закроется. Если эта разность по­ложительная, то сработает диод V7, если отрицательная — диод V8. Оба плеча закроются одновременно и надежно. Эти диоды должны быть германиевыми, так как у них напряжение открывания меньше, чем у кремниевых диодов.

Работа защиты при перегрузке в положительном плече стабилизатора аналогична. Подбором резисторов R3, R6 и подстроечным резистором R5 можно изменять порог сраба­тывания защиты. При указанных на схеме номиналах рези­сторов R3 и R6 только подстроечным резистором R5 можно устанавливать его в пределах от 1 до 4А.

После устранения причин перегрузки стабилизатор при­водят в рабочее состояние кратковременным нажатием кнопки S1. При этом конденсаторы фильтра выпрямителя быстро разряжаются через резисторы R1 и R2, динистор оптрона закрывается, и на выходе стабилизатора восста­навливается номинальное напряжение. Если конденсаторы не разряжать, то при отпускании кнопки S1 происходит ложное срабатывание защиты.

Все детали стабилизатора, кроме конденсаторов С1…С4, С6 и С8, транзисторов VII и V14, кнопки S1 и резисторов Rl, R2, смонтированы на печатной плате размерами 135Х Х50 мм, выполненной из фольгированного стекло­текстолита толщиной 1,5 мм. Резисторы R1 и R2 припаяны непосредственно к контактным выводам кнопки S1, нахо­дящейся на лицевой стенке блока, а электролитические конденсаторы установлены на отдельной пластине. Транзи­сторы VII и V14 необходимо установить на теплоотводя-щие радиаторы площадью 1500…2000 см 2 . Для улучшения теплоотводящего контакта соприкасающиеся поверхности можно смазать вазелином или каким-либо невысыхающим маслом. Чтобы не увеличивать выходного сопротивления стабилизатора, монтаж цепей, по которым протекает ток нагрузки, необходимо выполнять возможно более толстыми проводниками. Для предотвращения самовозбуждения все проводники, подключаемые к положительной, отрицатель­ной и общей шинам, следует присоединять непосредственно к выводам выходных конденсаторов С6 и С8.

Постоянные резисторы, использованные в устройстве, — МЛТ-0,5, подстроечные резисторы — СПЗ-1Б. Резисторы R1…R3 и R6 изготовлены из провода с высоким удельным сопротивлением. Конденсаторы С1…С4, С6 и С8 типа К50-ЗБ; С5 и С7 — КМ, МБМ. Транзисторы МП37А (VI, V16, V18) можно заменить на МП37Б; МП26 (V4, V9, V13) — на МП26А, Б, а П210А (Vll, V14) — на П210Б. Транзисторы V10 и V15 могут быть П214А…П214Г или П217В, Г. Диоды Д223 (V2, V3) можно заменить диодами этой же серии с буквенными индексами А, Б или диодами Д219, Д220; Д9Г (V7, V8) — диодами Д9Д…Д9Л. Стаби­литрон КС156А (V5) можно заменить на КС147А, КС 162А, Д814И; стабилитроны Д814Б (V12, V17) — на Д809, КС191А, М, Н; оптрон АОУ103В (V6) — на АОУ103Б.

Контакты кнопки S1 должны быть рассчитаны на ток не менее максимального, потребляемого нагрузкой. Чтобы исключить искрение между контактами кнопки, параллель­но им можно подключить искрогасящие цепочки R21C9 и R22C10, доказанные на схеме штриховыми линиями.

Убедившись в правильности монтажа, движки рези­сторов R13 и R19 устанавливают в среднее положение, а резистора R5 — в положение максимального сопротив­ления. Затем, включив питание, резисторами R13 и R19 устанавливают на выходах обоих плеч стабилизатора тре­буемые напряжения. Далее, между выходами отрицатель­ного и положительного плеч, включают эквивалент нагруз­ки, ток в которой должен соответствовать желаемому току срабатывания защиты (от 1 до 4 А). Им может быть мощ­ный резистор или отрезок высокоомного провода, сопротив­ление которого подсчитывают из необходимого выходного напряжения и максимального тока нагрузки. Сопротивле­ние резистора R5 уменьшают до тех пор, пока не сработает защита, после чего его движок возвращают назад, чтобы увеличить сопротивление на 5…10 %. Отключив затем нагрузку, кратковременным нажатием кнопки S1 приводят блок в рабочее состояние. Если теперь при подключении нагрузки защита не сработает, это укажет на необходи­мость более точного подбора сопротивления резистора R5.

Затем надо проверить срабатывание защиты при пере­грузке раздельно в каждом плече. Для этого сопротивление :эквивалента нагрузки уменьшают вдвое — подключение ее ж каждому из плеч должно вызывать срабатывание защи­ты. Допустимо некоторое различие в пороге срабатывания защиты в каждом плече, так как во всех случаях пере­грузки закрываются оба плеча блока.

Подбором сопротивлений резисторов R3 и R6 можно устанавливать другие пороги срабатывания защиты. Но при этом надо иметь в виду, что уменьшение их сопротив­лений приводит к увеличению тока отсечки защиты. Если возникает самовозбуждение стабилизатора, устраняют его подбором конденсаторов С5 и С7, а также увеличением емкости конденсаторов С6 и С8. Однако емкость конден­саторов С6 и С8 не должна быть слишком большой, чтобы не повредить питаемые цепи током разрядки этих конденса­торов при сработавшей защите. В некоторых случаях само­возбуждение удается устранить шунтированием эмлттерно-го перехода одного из транзисторов, входящих в составной транзистор, конденсатором емкостью в несколько десятых долей или единиц.микрофарады,

Чем заменить п210б в стабилизаторе тока

КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р _{к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп вт ) и большой мощности (Рк.доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa > 5 Мгц). Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.}

Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».

В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.

В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_{к.доп, а частотной — максимальная частота генерации fмакс.}

Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.

Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).

Третий элемент — цифровой, характеризующий основные энергетические и частотные параметры транзистора.

Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.

Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».

Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.

Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:

М — холодносварной корпус;

Э — улучшенная влагостойкость;

И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /_{к0 и емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают частотные параметры fа и fmакс.}

Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.

Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.

Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.

Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.

К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно допустимых параметров (Рк.доп U_{K3, /K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.}

Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.

Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.

Граничная частота f_{m определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.}

Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.

Чем заменить п210б в стабилизаторе тока

+- Hi-Fi Forum (https://hi-fidelity-forum.com/forum)
+— Форум: Звук (/forum-3.html)
+— Форум: Hi-Fi Аудио (/forum-8.html)
+— Тема: Самые музыкальные транзисторы СССР (/thread-111656.html)

Понимаю что далеко не всем такое интересно. но тем не менее ,не вдаваясь в аппараты и проч. -чисто от себя назовите пару-тройку транзисторов ссср,которые как вам кажется(а кажется-нам всем ) , «играют» интересней всего. Повторюсь не хотелось бы переводить тему- а «смотря в какой схеме» и тд., пишите как для себя, тоесть подразумевая что все вокруг знают какая схема,обвязка.
Начну первый:то что первое на ум идет это п307,гт404,п214,кт805,кт808,кт3107.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Yuri S — 15-02-2014 11:01

Все низкочастотные германиевые. Типа 1Т311 как-то не впечатлили.
П213-П217 — отпугивают видом так, что на звук уже никто не обращает внимания, а он у них из лучших (и к моему удивлению тоже).
2П902 — поющие транзюки, т.е. середина громкая, но не навязчивая.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — gost — 15-02-2014 11:13

1Т311 смутно помню,но кажется я их тоже забраковал ,хорошо что 1Т308 остались, и теперь у меня общее впечатление от этой серии получше :1т308 как то пробовал помню в чисто германиевом аппарате-«не пошло»,мп-шки живее чтоли играли, а в другой раз, под руку попались в пред усилительный каскад ,с кремниевыми оконечниками- понравилось,вытаскивать небыло желания ))

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Sheridan — 15-02-2014 11:19

А как вам КТ838?

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Yuri S — 15-02-2014 11:22

(15-02-2014 11:19) Sheridan писал(а): А как вам КТ838?

Этож от строчной развертки телека! По надёжности — «рыхлый».
Если слушали, то расскажите свои впечатления, я как-то его мимо пропустил.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — AVM — 15-02-2014 11:23

(15-02-2014 11:19) Sheridan писал(а): А как вам КТ838?

Показывал плохо, нечеткие горизонтальные строчки, середина экрана размазана

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — element — 15-02-2014 11:30

Лучше уж КТ828

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — vadimkanik63 — 15-02-2014 11:34

Для меня лично самыми звучащими транзисторами СССР остаются МП-40,МП-38А и П-213Б! А всё потому что свой первый усилитель я собрал в 1979г. по такой схеме и впервые услышал звук собственноручно изготовленного УНЧ.

[attachment=514623]
Соответственно лампы из СССР это 6Н2П-ев и 6П14П-ев — совсем недавно осуществил мечту и сделал свой первый ламповый УНЧ на этих лампах.
ИМХО.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — gost — 15-02-2014 11:36

Если речь зашла об извращениях,то встречный вопрос: а кто пробовал германиевые п3? если руки дойдут, хочу поставить их аккуратненько ,чтобы не спалить.. и послушать )))

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Yuri S — 15-02-2014 11:44

(15-02-2014 11:36) gost писал(а): Если речь зашла об извращениях,то встречный вопрос: а кто пробовал германиевые п3? если руки дойдут, хочу поставить их аккуратненько ,чтобы не спалить.. и послушать )))

(15-02-2014 11:34) vadimkanik63 писал(а): Для меня лично самыми звучащими транзисторами СССР остаются МП-40,МП-38А и П-213Б! А всё потому что свой первый усилитель я собрал в 1979г. по такой схеме и впервые услышал звук собственноручно изготовленного УНЧ.

Хорошая схемка, особенно если выкинуть конденсаторы на входе и вторичку транса в базы, понятно, что сопротивление вторички должно быть необычное.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — gost — 15-02-2014 11:53

Не, это чистый германий!! как старое золото-самое чистое! я по правде на однотранзисторной схеме всеже его тестировал,слушал- понравилось,просто хочется в каком-то более человеческом образе увидеть- как будет в оконечном каскаде работать. То что запомнилось- непривычно живой звук,по крайней мере, повторюсь, в той однотранзисторной схеме. Я Элвиса Пресли не слушаю,но так попалось, включил тогда-аж самому танцевать захотелось. не вру! но то было давно..

ps проблема в том что у меня их 3шт, и то что нестандартная ,неудобная для монтажа конструкция ..но я уже нацелился кое куда поставить. как только посетит муза-так сразу

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Yuri S — 15-02-2014 11:59

(15-02-2014 11:53) gost писал(а): Не, это чистый германий!! как старое золото-самое чистое! я по правде на однотранзисторной схеме всеже его тестировал,слушал- понравилось,просто хочется в каком-то более человеческом образе увидеть- как будет в оконечном каскаде работать. То что запомнилось- непривычно живой звук,по крайней мере, повторюсь, в той однотранзисторной схеме. Я Элвиса Пресли не слушаю,но так попалось, включил тогда-аж самому танцевать захотелось. не вру! но то было давно..

Я тоже так думаю. Отслушивал транзисторы включая эмиттерным повторителем с трансформаторной нагрузкой меж ЦАП и усилком.
Для оконечного каскада лично Вас небольшая моща не смущает?

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — gost — 15-02-2014 12:05

слушать уже привык в ближнем поле, изза «кривизны» помещения,потому интересны сами по себе новые грани «муз. энергии» ,тем неменее смотрю уже по личным ощущениям в итоге- может быть мощно,но чегото не хватать, а может и в маломощном чегото нехватать.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Konica — 15-02-2014 12:31

Нравится как звучит на маленькой громкости Юпитер-202, там на выходе П217
Бриг-001 с его КТ808А тоже ничего так
Я раньше проходил мимо этого добра, а теперь по возможности беру и в мешок складываю
П213-П217, 2Т808А, П4АЭ, П210, МП27А, МП25,МП3738, МП39-42,ГТ402-404
Попались даже раритетные диоды ДГ-Ц24

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — gost — 15-02-2014 12:55

Спасибо за комментарий! Konica ,а 2Т808А впринципе лучше чем просто кт808А? я не пробовал 2Т808А. интересно.
Как диодики? ) применялись, или радуют душу своим крепким историческим прошлым?

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Konica — 15-02-2014 13:05

Нашёл на помойке какой то древний блок с мостом на таких диодах
Пока просто забрал в тумбочку, а то ведь на полигон безвозвратно вывезут
2Т — военный вариант КТ, у меня их пару штук, ещё и с приёмкой
Вроде как гарантия параметров и надёжности

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — gost — 15-02-2014 13:08

(15-02-2014 11:01) Yuri S писал(а): .
2П902 — поющие транзюки, т.е. середина громкая, но не навязчивая.

это такие?
С ума сойти ) я вот полевые транзисторы всегда боялся . потому что не до конца понимаю как с ними иметь дело..я всетаки не инженер,в интернете пишут что можно полевые на биполярные менять, но кто его знает. А вообще впечатления у вас какое, после прослушки — в каком приоритете остались они относительно биполярных кремниевых, германиевых.

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — element — 15-02-2014 13:14

Добавлю к небольшому списку,приведённому Славой (Konica) ещё ДГЦ-27, Д7 (а-Ж),Д305; 1Т321,1Т806,1Т906(особенно модификация АМ1 и БМ1).

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — Konica — 15-02-2014 13:26

Селеновые выпрямители АВС, стоит такой у меня в Днипро-14А

RE: Самые музыкальные транзисторы СССР — звукофил — 15-02-2014 13:29

Очень интересная тема!Мне больше всего запомнился звук катушечника из 70-х Астра 205.Был собран по гибридной схеме Универсальный УЗУВ на лампах,а оконечник на среднечастотных то ли П 605,то ли П 601.Запамятовал.Но как звучал Сантана и Битлз запомнилось на всю жизнь.Больше такого звука не слышал.даже от лампового SE.

Транзистор П210В

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора П210В.

Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов (золота, серебра, платины и МПГ) в транзисторе с указанием его веса которые используются (или использовались) при производстве в радиотехнике.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе П210В.
Золото: 0 грамм.
Серебро: 0,01624 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
На основании информации: Из справочника Связь-Инвест.

Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то управлять выходным током. Во-вторых, у них предполагается наличие трех контактов. И в-третьих, в основе их работы лежит p-n переход. Что нам на это скажут официальные источники?

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.

Определение не только подтвердило наши предположения, но и продемонстрировало особенность полевых транзисторов — управление выходным током происходит посредством изменения приложенного электрического поля, т.е. напряжения. А вот у биполярных транзисторов, как мы помним, выходным током управляет входной ток базы.

Еще один факт о полевых транзисторах можно узнать, обратив внимание на их другое название — униполярные. Это значит, что в процессе протекания тока у них участвует только один вид носителей заряда (или электроны, или дырки).

Три контакта полевых транзисторов называются исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители). Структура кажется простой и очень похожей на устройство биполярного транзистора. Но реализовать ее можно как минимум двумя способами. Поэтому различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Схема транзистора и схемы включения транзистора.

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током базы – это одна из разновидностей смещения транзистора).
2 Каскад с общим коллектором
3 Каскад с общей базой

Параметры транзисторов
UКБО – максимально допустимое напряжение коллектор – база;
UКБО и – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база;
UКЭО – максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер;
UКЭО и – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;
UКЭН – напряжение насыщения коллектор – эмиттер;
UСИ max – максимально допустимое напряжение сток – исток;
UСИО – напряжение сток – исток при оборванном затворе;
UЗИ max – максимально допустимое напряжение затвор – исток;
UЗИ отс – Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока дости-гает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);
UЗИ пор – Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых тран-зисторов с изолированным затвором и п-каналом);
IK max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
IK max и – максимально допустимый импульсный ток коллектора;
IC max – максимально допустимый постоянный ток стока;
IC нач – начальный ток стока;
IC ост – остаточный ток стока;
IКБО – обратный ток коллектора;
РК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
РК max т – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
РСИ max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток – исток;
H21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
RСИ отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии;
S – крутизна характеристики;
fГР. – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
КШ – коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Схемы включения транзистора

Для включения в схему транзистор должен иметь четыре вывода — два входных и два выходных. Но транзисторы всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора:
Схемы включения биполярного транзистора

с общим эмиттером (ОЭ) — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема;
с общим коллектором (ОК) — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок;
с общей базой (ОБ) — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко (в основном в усилителях СВЧ), обычно в составных схемах (например, каскодных).

Схемы включения полевого транзистора

Полевые транзисторы, как с p-n переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения:

с общим истоком (ОИ) — аналог ОЭ биполярного транзистора;
с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярного транзистора;
с общим затвором (ОЗ) — аналог ОБ биполярного транзистора.

Схемы с открытым коллектором (стоком)

«Открытым коллектором (стоком)» называют включение транзистора по схеме с общим эмиттером (истоком) в составе электронного модуля или микросхемы, когда коллекторный (стоковый) вывод не соединяется с другими элементами модуля (микросхемы), а непосредственно выводится наружу (на разъем модуля или вывод микросхемы). Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора (стока) при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. В частности, нагрузка такого транзистора может быть подключена к источнику питания с более высоким или низким напряжением, чем напряжение питания модуля/микросхемы. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Транзисторы с открытым коллектором (стоком) применяются в логических элементах ТТЛ, микросхемах с мощными ключевыми выходными каскадами, преобразователях уровней, шинных формирователях (драйверах) и т. п.

Реже применяется обратное включение – с открытым эмиттером (истоком). Оно также позволяет выбирать нагрузку транзистора после изготовления основной схемы, подавать на эмиттер/сток напряжение полярности, противоположной напряжению питания основной схемы (например, отрицательное напряжение для схем с биполярными транзисторами n-p-n или N-канальными полевыми), и т.п.

Маркировка транзисторов – Цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Кодовая маркировка даты выпуска приборов
Год Кодированное обозначение
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 С
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

Месяц Кодированное обозначение
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь 0
Ноябрь N
Декабрь D

Цветовая кодировка группы
Группа Цветная точка сверху
А Темно-красная
Б Желтая
В Темно-зеленая
Г Голубая
Д Синяя
Е Белая
Ж Темно-коричневая
И Серебристая
К Оранжевая
Л Светло-табачная
М Серая

Цоколевка транзисторов

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение.

Транзисторы справочник – корпуса транзисторов

транзисторы справочник – корпуса транзисторов

Принцип работы Транзистора

В настоящее время находят применение транзисторы двух видов — биполяр­ные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наиболь­шее распространение. Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Поле­вые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.

Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярно­сти. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицатель­ные заряды переносятся электронами. В биполярном транзисторе используют кри­сталл из германия или кремния — основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми. Для обоих разновидно­стей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.

куплю транзисторы, транзистор цена

Если у вас есть больше информации о трансформаторе П210В сообщите ее нам мы бесплатно разместим ее на сайте.

Фото транзистор П210В:

Транзистор виды электронных компонентов

Характеристики транзистор П210В:

Купить или продать а также цены на транзистор П210В (куплю транзисторы, транзистор цена):

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже

LM317: Характеристики, виды и схемы

LM317 – это регулируемый стабилизатор напряжения. Он может служить для создания различных блоков питания. Он способен быть основой для стабилизатора тока, зарядного устройства, лабораторного блока питания и даже звукового усилителя. Для того, чтобы им воспользоваться, достаточно подключить его к одной их схем обвязки, обозначенных ниже.

Эта микросхема является одной из самых популярных в мире – все из-за простоты ее устройства и работы с ней, ее дешевизны и надежности. Последнее обеспечивается наличием защит короткого замыкания выводов и перегрева микросхемы. LM317 не требует множества компонентов в качестве обвязки. Наибольшую популярность микросхема приобрела в среде радиолюбителей.

LM317 регулирует напряжение линейно, что является ее преимуществом относительно импульсных преобразователей. Микросхема продается в нескольких вариантах корпуса, наибольшей популярностью пользуется версия LM317T в корпусе TO-220. Она была разработана Бобом Добкиным в 1976 году, когда он работал в National Semiconductor, и с тех пор является бессменным хитом в кругах радиолюбителей.

Схема LM317

Все внутреннее устройство стабилизатора можно видеть на его схеме, взятой в datasheet. На ней изображены три вывода схемы: вход (на этот вход подается питание), регулировка и выход. На пине регулировки вольтаж сигнала сначала понижается на одностороннем ограничителе до стабильных 1.25В и служит опорным источником, а ток, вместе с током питания идут на компаратор, основанный на операционном усилителе.

Также на схеме можно видеть выходной каскад на базе биполярного транзистора, который усиливает ток, и блок защиты от перегрева и превышения по току.

Справа от блока защиты находится датчик тока, падение на котором и отслеживается защитой с целью предупреждения повреждений от КЗ.

Характеристики LM317

• Максимальное входное напряжение LM317 – 40В
• Диапазон напряжений выхода LM317 – 1.2-37В
• Максимальный выходной ток для LM317 – 1.5А
• Опорное напряжение микросхемы – 0.1-1.3В
• Минимальный ток нагрузки – 3.5mA
• Погрешность напряжения на выходе – 0.1%
• Рассеиваемая мощность – 20Вт
• Рабочий температурный диапазон – 0-125C
• Температурный диапазон хранения – -65-150C
• Температурный диапазон хранения – -65-150°C

Виды LM317

Микросхема продается в нескольких варианта корпуса, в зависимости от потребности в размерах, нагрузки и подключении, а также типу монтажа схемы — каждый может выбрать наиболее подходящий ему вариант.

Наиболее популярна LM317T в корпусе TO-220 на 1.5 Ампер. Это считается универсальным вариантом, так как может использоваться в навесном монтаже, а также поверхностном. Радиатор в таком корпусе позволяет отводить излишнее тепло и испытывать более серьезные нагрузки, чем его собратья, а при необходимости его можно прикрепить к большему радиатору.

Подключение LM317

LM317 имеет следующую конфигурацию выводов в разных корпусах:

Минимальная схема подключения представляет собой два резистора сопротивления и три конденсатора, подключенных согласно схеме. В соответствии с характеристиками сопротивления и будет определяться напряжение на выходе.

У LM317 два главных параметра: это его опорное напряжение, а также ток, истекающий на выводе подстройки. Опорное напряжение (Vref) — напряжение, которое стабилизатор поддерживает на сопротивлении R1. Оно нестабильно и разнится от партии к партии в среднем на 0.1В, поэтому для расчетов лучше держать в уме усредненное значение – 1.25В. Для серьезных же проектов стоит измерить его для каждого используемого экземпляра. Соответственно, следуя схеме, если замкнуть резистор R2, то на выходе мы получим опорное напряжение – 1.25В, а с увеличением вольтажа на R2 будет увеличиваться и выходное напряжение. Таким образом, LM317 постоянно сравнивает напряжение на выходе через резистивный делитель с опорным, поэтому, меняя сопротивление, мы меняем выходное напряжение.

Ток, утекающий на подстройке (Iadj) – паразитный. По заявлению производителей он составляет от 50 до 100 мкА, но на деле же может достигать и 500 мкА. Из-за этого для стабильности выходного напряжения сопротивление R1 не должно быть выше 240 Ом, чтобы через делитель не проходил ток менее 5 мА.

Все, что вам нужно – это подставить ваше значение R1 в это формулу R2=R1*((Uo/Uref)-1).

Типовые схемы LM317

Как было указано, в LM317 используется при создании регулируемых и нерегулируемых блоков питания, однако, также может быть использован в качестве основы стабилизатора тока при создании светодиодных драйверов, которые поддерживают ток в цепи вне зависимости от входного напряжения. Только описанных в datasheet применений хватит на отдельную книгу, поэтому разберем несколько самых популярных схем на этом стабилизаторе.

Регулируемый блок питания (1.2-37В)

Все, что понадобится для его создания, это заменить R2 на переменный резистор, а также добавить трансформатор с диодным мостом на вход. При использовании стоит учитывать, что микросхема обладает опорным напряжением в 1.25В, поэтому оно и будет минимальным для данной схемы.

Регулируемый блок питания (0-37В)

Если вам необходима полная регулировка с 0В, то производители схем предлагают подключить к схеме источник отрицательного напряжения на 10В.

Вы можете намотать дополнительную катушку на трансформатор блока питания и подключить его выводы после диодного моста следующим образом:

Либо вы можете использовать источник отрицательного напряжения, который будет питаться от основной обмотки.

Таким образом, вы получите простейший лабораторный блок питания.

Светодиодный драйвер (Стабилизатор тока)

С помощью этой схемы вы можете запитывать достаточно мощные светодиоды и светодиодные ленты. Все, что нужно — это знать потребляемый ток и, исходя из него, подобрать сопротивление по формуле.

В нем используется тот же принцип, что и в самой простой схеме, но вместо резистивного делителя установлен датчик тока. Чем больший ток потребляет нагрузка на выходе, тем большее падение напряжения будет наблюдаться на датчике. Оно отслеживается микросхемой, и она увеличивает или уменьшает напряжение для поддержания стабильного тока. Даже при коротком замыкании ток будет держаться на стабильном уровне, который был выставлен.

Зарядное устройство

Схема данного зарядного устройства взята из datasheet и имеет напряжение на выходе 6В с ограничением 0.6А. С помощью изменения сопротивления резисторов R1 и R2 возможно регулировать напряжение под ваши нужды, а при помощи резистора R3 – ток. Оно подойдет для питания аккумуляторов телефонов, инструментов и бытовой техники.

Регулирование переменного напряжение

Так как два LM317 могут регулировать не только положительные, но и отрицательные колебания синусоиды, то с помощью них можно создать AC регулятор. Можно видеть, что схема довольно не сложная и не требует множества компонентов:

Как проверить LM317?

В отличие от транзисторов, данную микросхему невозможно проверить мультиметром. Такой способ никак не гарантирует правильную работу из-за большого количества внутренних элементов, не соединенных с выводами. Поэтому, если какой-то из них выйдет из строя, то проверить это мультиметром будет проблематично. Самый простой способ проверки работы LM317 — это создать простейший стенд на макетной плате, а запитать его можно будет всего лишь от батарейки.

Таким образом, вы сможете быстро убедиться в полностью рабочем состоянии элемента, даже если необходимо проверить несколько штук.

Применение LM317

Схемы, приведенные выше – лишь малая часть, основа, по сравнению с тем, что возможно сделать на этом стабилизаторе. Он может использоваться почти во всех схемах, которые требуют постоянного питания до 40 В. Вот некоторые сферы применения, описанные в официальном техническом документе данной микросхемы:

• Персональные компьютеры
• Цифровые камеры
• ЭКГ
• Интернет свитчи
• Биометрические датчики
• Драйверы электромоторов
• Портативные зарядки
• PoE
• RFID считыватели
• Бытовая техника
• Рентгеновские аппараты

Как можно видеть, даже сам производитель рассчитывает на максимально широкое использования данного элемента, что уж говорить о самодельщиках, готовых представить самые необычные схемы с использованием LM317.

Повышение максимального выходного тока

Существует два способа повышения максимального выходного тока. Если вам необходимо получить больше 1.5А, то вы можете либо подключить несколько микросхем параллельно, либо подключить силовой транзистор.

В первом случае достаточно подключить на выход стабилизаторов резисторы с низким сопротивлением. Они нужны для выравнивания токов.

Однако не всегда рационально использовать несколько микросхем. Поэтому нам на помощь приходит транзистор. В таком случае будет достаточно добавить его и резистор в качестве обвязки к нему.

Если нагрузка потребляет небольшой ток, то он будет проходить через микросхему, не затрагивая транзистор. А при повышении, почти весь ток будет проходить через транзистор, оставляя малую его часть стабилизатору. Но при использовании этой схемы внутренняя защита внутри LM317 от КЗ.

Аналоги LM317

Что делать, если нет возможности использовать LM317? Можно воспользоваться ее аналогами. Братьями-близнецами данного компонента являются UPC317, GL317, ECG1900 и SG317. Отечественный же аналог — это KP142EH12A, а также существует KP142ЕН12 с фиксированным напряжением.

Если LM317 не хватает мощности для вашего проекта, то можно воспользоваться более мощными вариантами:

• LM350AT и LM350T – максимальный выходной ток 3А и мощность 25Вт
• LM350K – ток 3 А и мощность 30 Вт
• LM338T и LM338K – ток 5 А

Все эти микросхемы имеют одинаковые выводы, поэтому схемы не придется никак менять.

Безопасная эксплуатация LM317

Стоит помнить об эксплуатационных характеристиках радиокомпонента и не использовать его в критических условиях. Мощность рассеивания по официальной информации – 20 Вт, а разница входного и выходного напряжений не должна превышать 40 В. Во время пайки температура должна не превышать 260 C. Использовать можно при температуре от 0C до 125C, а хранить от -65C до 150C. Все это официально заявленные характеристики, в реальности они могут расходиться от экземпляра к экземпляру и быть заниженными.

Не стоит использовать элемент при максимальных и минимальных обозначенных значениях. При такой эксплуатации уровень стабильности и надежности значительно упадет. А также крайне желательно использовать радиатор для отвода тепла, так как иначе заявленные характеристики могут не совпадать с реальными.

Datasheet, даташит

Datasheet на данный стабилизатор проще всего найти на сайте производителя Texas Instruments. Или по ссылке.

В даташите вы сможете найти наиболее точные характеристики и спецификации, а также графики, отражающие работу микросхемы. Помимо этого, там описаны некоторые из типовых схем, использования и подробное описание их настройки под различные нужды. А также рекомендации по использованию.

Производители LM317

Так как LM317 является самым популярным стабилизатором напряжения, то ее выпускают крупнейшие предприятия по производству микросхем:

• Texas Instruments
• STMicroelectronics
• ONS
• UTC

Где купить LM317?

Стабилизатор применяется крайне широко, поэтому проблем с покупкой не возникает, он доступен почти во всех интернет-магазинах радиоэлектронных компонентов. Но к нам этот товар, как и другие радиоэлектронные компоненты, попадает по крайне завышенной цене, поэтому выгоднее всего купить его на AliExpress по этой ссылке .